IC Phoenix logo

Home ›  I  › I34 > IRG4BC20F

IRG4BC20F from IR,International Rectifier

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

0.000ms

IRG4BC20F

Manufacturer: IR

600V Fast 1-8 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRG4BC20F IR 128000 In Stock

Description and Introduction

600V Fast 1-8 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package The IRG4BC20F is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (VCES):** 600V  
- **Current Rating (IC @25°C):** 9A  
- **Current Rating (IC @100°C):** 6A  
- **Power Dissipation (PD):** 100W  
- **Gate-Emitter Voltage (VGE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** 2.5V (typical at IC = 9A, VGE = 15V)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 18ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 150ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRG4BC20F is a high-speed N-Channel IGBT designed for switching applications. It combines the advantages of MOSFET input characteristics and bipolar output characteristics, making it suitable for high-efficiency power switching.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed** – Optimized for high-frequency applications.  
- **Low Saturation Voltage (VCE(sat))** – Enhances efficiency in power conversion.  
- **High Input Impedance** – Simplified gate drive requirements.  
- **Robust and Reliable** – Designed for industrial and consumer applications.  
- **TO-220 Package** – Provides good thermal performance and ease of mounting.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRG4BC20F IRF 50 In Stock

Description and Introduction

600V Fast 1-8 kHz Discrete IGBT in a TO-220AB package The IRG4BC20F is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IRF). Here are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage Rating (VCES):** 600V  
- **Current Rating (IC):** 11A  
- **Power Dissipation (PD):** 100W  
- **Gate-Emitter Voltage (VGE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)):** 2.0V (typical at IC = 11A)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 150ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-speed switching applications.  
- Suitable for motor control, inverters, and power supplies.  
- Low switching losses and high efficiency.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency.  
- **High Input Impedance:** Easy to drive with standard logic.  
- **Robust Construction:** TO-220 package for good thermal performance.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IRF documentation.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips