600V UltraFast 8-60 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package The IRG4BC10UD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Manufacturer:** Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 4A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 2.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.65V (typical at I_C = 4A)  
- **Switching Speed:** Fast switching with low switching losses  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The IRG4BC10UD is a high-speed, low-loss IGBT designed for switching applications in power electronics. It is optimized for efficiency and reliability in motor control, inverters, and power supplies.  

### **Features:**  
- **Low V_CE(sat):** Enhances efficiency by reducing conduction losses.  
- **Fast Switching:** Minimizes switching losses for high-frequency applications.  
- **High Input Impedance:** Simplified gate drive requirements.  
- **Temperature Stability:** Robust performance across a wide temperature range.  
- **Built-in Fast Recovery Diode:** Improves reverse recovery characteristics.  

For detailed electrical characteristics, refer to the official datasheet from Infineon Technologies.