600V DC-1 kHz (Standard) Copack IGBT in a TO-220AB package The IRG4BC10SD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 4.5A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 2.8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.7V (typical at I_C = 4.5A, V_GE = 15V)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 100ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**
- **High Voltage Capability:** Designed for 600V applications.  
- **Low Saturation Voltage:** Ensures efficient power switching.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Temperature Stability:** Maintains performance across a wide temperature range.  
- **Integrated Freewheeling Diode:** Includes a co-packaged ultra-fast soft recovery diode for improved efficiency in inductive load applications.  
- **Surface Mount Package (TO-263):** Facilitates easy PCB mounting.  
- **Applications:** Commonly used in motor drives, inverters, UPS systems, and power supplies.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.