600V UltraFast 8-25 kHz Copack IGBT in a TO-220AB package The IRG4BC10KD is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_CES):** 600V  
- **Current Rating (I_C @25°C):** 4A  
- **Current Rating (I_C @100°C):** 2.5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W  
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V  
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 1.8V (typical at I_C = 4A)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRG4BC10KD is a high-speed switching IGBT designed for applications requiring efficient power control.  
- It features low conduction and switching losses, making it suitable for high-frequency applications.  
- The device is housed in a TO-220 package, providing good thermal performance.  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Low Saturation Voltage:** Enhances efficiency in power applications.  
- **High Input Impedance:** Simplifies gate drive requirements.  
- **Robust Design:** Suitable for industrial and automotive applications.  
- **Built-in Fast Recovery Diode:** Improves performance in inductive load switching.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.