55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFZ48Z is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 64A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 16mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3500pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 900pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Rise Time (t_r):** 60ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 70ns  
- **Fall Time (t_f):** 35ns  

### **Description:**  
The IRFZ48Z is an N-channel power MOSFET designed for high-current, high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and robust thermal performance, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness in inductive load conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance:** Ensures reliable operation in switching circuits.  

For exact details, always refer to the official IR datasheet.