60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFZ48VS is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 64A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.014Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Rise Time (t_r):** 60ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Fall Time (t_f):** 30ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFZ48VS is a high-current, low-on-resistance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It is optimized for high efficiency and fast switching performance in power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- High current handling capability  
- Robust and reliable performance in power applications  
- TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.