55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFZ48NSTRRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IRFZ48NSTRRPBF  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 64A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 256A  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 16mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2700pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Description:**
The IRFZ48NSTRRPBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **High Current Capability** (64A continuous, 256A pulsed).  
- **Fast Switching Speed** for efficient power conversion.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  
- **TO-263 Package** for efficient thermal dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.