55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFZ48N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 64A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.014Ω (at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3600pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRFZ48N is an N-channel power MOSFET designed for high-current switching applications.  
- It is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-efficiency switching circuits.  
- The device features low on-resistance and fast switching speeds.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **High Current Handling:** Suitable for demanding power applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Provides robustness in inductive load conditions.  
- **TO-220 Package:** Ensures easy mounting and heat dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.