55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFZ46N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.022Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2700pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**
- The IRFZ46N is a high-current, low-on-resistance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-efficiency switching circuits.  
- The TO-220AB package provides efficient thermal dissipation.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss during conduction.  
- **High Current Handling:** Capable of handling up to 50A continuous current.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load switching.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhances performance in high-speed switching.  

These details are based on the manufacturer's datasheet for the IRFZ46N MOSFET.