60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFZ44S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 49A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 22mΩ (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 180pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFZ44S is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and robust thermal performance, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency and reliability.  
- **Low On-Resistance** minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** improves performance in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load conditions.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance** ensuring stable operation.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  

This MOSFET is commonly used in automotive, industrial, and consumer electronics applications.