60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFZ44PBF is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
1. **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
2. **Continuous Drain Current (I_D):** 49A (at 25°C)  
3. **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
4. **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
5. **Power Dissipation (P_D):** 94W (at 25°C)  
6. **On-Resistance (R_DS(on)):** 17.5mΩ (max at V_GS = 10V)  
7. **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
8. **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
9. **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typical)  
10. **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 130pF (typical)  
11. **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns (typical)  
12. **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 49ns (typical)  
13. **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
- The IRFZ44PBF is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is part of IR's HEXFET® power MOSFET series, known for low on-resistance and fast switching speeds.  
- The device is housed in a TO-220AB package, suitable for through-hole mounting.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances power efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in inductive load conditions.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance:** Suitable for demanding switching applications.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.