60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFZ34S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A (at T_C = 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at T_C = 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.042Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 15A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRFZ34S is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capability, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency applications.

### **Features:**
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses  
- **Low On-Resistance** for improved efficiency  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency operation  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

The device is available in a TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation.  

(Source: International Rectifier IRFZ34S Datasheet)