55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFZ34N is an N-channel power MOSFET manufactured by various companies, including International Rectifier (IR). Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.042Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 50ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFZ34N is a power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **High Current Handling:** Supports up to 30A continuous current.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load switching.  
- **TO-220 Package:** Easy to mount and provides good thermal performance.  

The information provided is based on standard datasheet specifications. For exact details, refer to the manufacturer's datasheet.