60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFZ34E is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's datasheet:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.042Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 34ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRFZ34E is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and robust thermal performance, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness under inductive loads.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Can be driven by standard logic circuits (with sufficient V_GS).  
- **TO-220 Package:** Ensures easy mounting and good thermal dissipation.  

This information is sourced from the official International Rectifier datasheet for the IRFZ34E.