60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package The IRFZ24VL is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's datasheet:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.07Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 8.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 80pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFZ24VL is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and robust thermal performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency circuits.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides ruggedness against voltage spikes.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to false triggering.  
- **TO-220 Package:** Ensures effective heat dissipation.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For precise application details, always refer to the official IR datasheet.