60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFZ24S is a power MOSFET manufactured by IOR (International Rectifier). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.07Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 900pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  

### **Description:**  
The IRFZ24S is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power electronics applications.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses  
- **High current handling capability** (17A continuous, 68A pulsed)  
- **Low gate charge** for fast switching  
- **Low on-resistance** (0.07Ω max at V_GS = 10V)  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness  
- **Fully characterized for linear mode operation**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFZ24S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.07Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40ns  
- **Rise Time (t_r):** 35ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Description:**  
The IRFZ24S is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and robust thermal performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved performance  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to the official documentation.