55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFZ24N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.07Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1300pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFZ24N is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capability, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses.  
- **Low Gate Charge** for improved switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive loads.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance** ensuring reliable operation in high-frequency circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  

The IRFZ24N is housed in a TO-220 package for easy mounting and heat dissipation.  

(End of factual information.)