100V N-Channel A-FET The IRFW550ATM is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Part Number:** IRFW550ATM  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** TO-262 (TO-262-3, D2PAK)  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 55A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 220A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFW550ATM is a high-current, low on-resistance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features a rugged and efficient design suitable for high-power circuits, motor control, and switching regulators.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- High current handling capability (55A continuous)  
- Fast switching performance  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on Fairchild's datasheet for the IRFW550ATM. For detailed application notes or reliability data, refer to the official documentation.