-100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a I-Pak package The IRFU5410PBF is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 33A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 132A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.044Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFU5410PBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current capability, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Low Gate Charge** for reduced drive requirements  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

The device is housed in a TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation.  

(End of factual information.)