4.6A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFETs The IRFU220 is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8.8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 25W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min), 4.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFU220 is an N-Channel MOSFET designed for high-speed switching applications. It is suitable for power management, DC-DC converters, motor control, and other switching circuits requiring efficient performance.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge**  
- **Low On-Resistance**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220AB Package for Easy Mounting**  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the IRFU220 MOSFET. For detailed application notes and test conditions, refer to the official documentation.

4.6A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

4.6A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFETs The part **IRFU220** is a **MOSFET transistor** manufactured by **Fairchild (仙童进口)**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.8Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 250pF (typical)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **switching applications** in power supplies, motor control, and amplifiers.  
- **Fast switching speed** for efficient performance.  
- **Low gate charge** for reduced drive requirements.  
- **Avalanche energy rated** for robustness in inductive load applications.  

This information is based on Fairchild's datasheet for the **IRFU220** MOSFET.

4.6A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

4.6A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFETs The IRFU220 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 200V  
- **Current Rating (I_D):** 4.3A (continuous at 25°C)  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C case temperature)  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.8Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFU220 is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It features low gate charge and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low On-Resistance**  
- **High Input Impedance**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **TO-220AB Package**  

For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to the official IR datasheet.

4.6A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFETs