Advanced Power MOSFET The IRFS9630 is a Power MOSFET manufactured by Samsung. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFS9630 is a high-voltage P-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low gate charge and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and other high-efficiency circuits.

### **Features:**  
- High voltage capability (-200V)  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- TO-220AB package for easy mounting  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

Advanced Power MOSFET

Advanced Power MOSFET The IRFS9630 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **SEC (Semiconductor Components Industries, LLC)** – Formerly part of International Rectifier (IR), now under ON Semiconductor.  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -6.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -26A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  

### **Features:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole Mounting)  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

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Advanced Power MOSFET The IRFS9630 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)** (now part of Infineon Technologies)  

### **Part Number:**  
- **IRFS9630**  

### **Type:**  
- **P-Channel Power MOSFET**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  

### **Package:**  
- **TO-247AC (3-pin package)**  

### **Features:**  
- **High voltage capability (-200V)**  
- **Low gate charge**  
- **Fast switching speed**  
- **Avalanche energy specified**  
- **Improved dv/dt capability**  

### **Applications:**  
- **Switching power supplies**  
- **Motor control**  
- **DC-DC converters**  
- **High voltage power switching**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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