500V N-Channel MOSFET The IRFS830B is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The IRFS830B is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It is optimized for high efficiency and fast switching performance in circuits such as power supplies, motor controls, and inverters.

### **Features:**
- **High Voltage Capability:** Supports up to 500V drain-source voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances performance in high-frequency applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Ensures robustness in switching environments.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This MOSFET is commonly used in industrial, automotive, and consumer electronics applications requiring reliable high-voltage switching.