-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR5410 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRFR5410 is an N-channel HEXFET® Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low gate drive power and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 28A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 112A  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.052Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 45ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for high-efficiency applications  
- **Low Gate Charge** for reduced drive requirements  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)** surface-mount package  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRFR5410 MOSFET.