500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR430A is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 45pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typ)  

### **Description:**  
The IRFR430A is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is built using IR’s advanced HEXFET® technology, providing efficient power handling and low conduction losses.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (500V)**  
- **Low On-Resistance (1.5Ω max)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Fully Characterized for Linear Mode Operation**  
- **Lead-Free and RoHS Compliant**  

These details are based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.