40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR4104 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.0065Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 63nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 300mJ  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFR4104 is an N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- Advanced HEXFET® technology  
- Low gate charge  
- High current capability  
- Avalanche rated  
- Fast switching speed  
- 100% tested for R_DS(on)  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed application notes, refer to the official IR documentation.