20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR3711Z is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 168A  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 30mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Technology:** HEXFET Power MOSFET  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications  
- **Avalanche Rated:** Robust design for rugged performance  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly  
- **Applications:**  
  - DC-DC Converters  
  - Motor Control  
  - Power Supplies  
  - Battery Management Systems  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

20V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package