100V Single N-Channel Automotive HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR3710Z is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 168A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.023Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 63nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2700pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 110pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Advanced Process Technology:** Designed for high efficiency and fast switching.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **High Current Handling:** Suitable for power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency operation.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **TO-220AB Package:** Provides mechanical durability and efficient thermal dissipation.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-power switching circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical specifications.