Leaded 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR3709ZTRR is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **Infineon Technologies** (previously International Rectifier, IR)  

### **Part Number:**  
- **IRFR3709ZTRR**  

### **Type:**  
- **N-Channel Power MOSFET**  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):**  
  - 3.7mΩ (max) at V_GS = 10V  
  - 4.5mΩ (max) at V_GS = 4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3200pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Avalanche Energy (E_AS):** 200mJ  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)** (3-pin surface-mount package)  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for high efficiency  
- **Fast Switching Speed**  
- **Fully Avalanche Rated**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
- **Optimized for High-Current Applications**  

### **Applications:**  
- DC-DC Converters  
- Motor Control  
- Power Management  
- Battery Protection Circuits  
- Synchronous Rectification  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.