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IRFR3709ZCTRPBF from IR进口,International Rectifier

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11.719ms

IRFR3709ZCTRPBF

Manufacturer: IR进口

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFR3709ZCTRPBF IR进口 26500 In Stock

Description and Introduction

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR3709ZCTRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR). Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 250A  
- **RDS(on) (Max):** 4.5mΩ (at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 110W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** D2PAK (TO-263-3)  

### **Descriptions and Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhanced ruggedness for reliability in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and battery management systems.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFR3709ZCTRPBF IR 31204 In Stock

Description and Introduction

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR3709ZCTRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier). Here are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 130A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 520A  
- **RDS(on) (Max):** 3.7mΩ (at VGS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for high-efficiency power switching.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Fully Characterized Dynamic Parameters:** Ensures reliable performance in switching circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-current switching applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

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