30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR3707ZC is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  
### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  
### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 250A  
- **Power Dissipation (PD):** 150W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 9.3mΩ (max at VGS = 10V)  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 3600pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 1200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 220pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  
### **Descriptions & Features:**  
- **High Current Handling:** Capable of handling up to 62A continuous drain current.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses for efficient power switching.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Provides ruggedness in inductive load switching.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with standard gate drive circuits.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.