30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR3707Z is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 250A  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2100pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)**  

### **Features:**  
- **Advanced Process Technology** for low on-resistance.  
- **High Current Handling Capability** (62A continuous).  
- **Fast Switching Performance** for efficient power conversion.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental compliance.  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official Infineon documentation.

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package