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IRFR3707TRPBF from IOR,International Rectifier

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IRFR3707TRPBF

Manufacturer: IOR

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFR3707TRPBF IOR 320 In Stock

Description and Introduction

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR3707TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Part Number:**  
IRFR3707TRPBF  

### **Description:**  
The IRFR3707TRPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 62A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 250A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 8.5mΩ (at VGS = 10V)  
- **Power Dissipation (PD):** 120W  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- High current handling capability  
- Avalanche energy specified  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:**  
TO-252 (DPAK)  

### **Applications:**  
- DC-DC converters  
- Motor control  
- Power management in automotive and industrial systems  
- Switching power supplies  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRFR3707TRPBF. For detailed specifications, refer to the official documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package
Partnumber Manufacturer Quantity Availability
IRFR3707TRPBF IR 392 In Stock

Description and Introduction

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR3707TRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 62A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 250A  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Power Dissipation (PD):** 140W (at 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 9.3mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 2700pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 800pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 25ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (TJ):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The IRFR3707TRPBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management systems.  
- The device is optimized for fast switching and efficient power conversion.  

### **Features:**  
- Low RDS(on) for reduced conduction losses  
- High current capability  
- Fast switching performance  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  
- Avalanche energy specified  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet and technical specifications.

Application Scenarios & Design Considerations

30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package

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