75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR3607 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 34A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 136A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.027Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 13ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Rise Time (t_r):** 35ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRFR3607 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching speeds.  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power management applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **High Current Handling:** Supports high-power applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load switching.  
- **TO-220 Package:** Ensures good thermal performance and ease of mounting.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.