40V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR3504Z is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from the datasheet:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 40V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 35A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 140A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.022Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)**  

### **Description:**  
The IRFR3504Z is a N-channel Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency  
- **High Current Handling Capability** (35A continuous)  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IR documentation.