100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR3411 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Here are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-to-Source Voltage (V_DS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-to-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.042Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min) to 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2100pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions and Features:**  
- **Technology:** HEXFET® Power MOSFET  
- **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  
- **Applications:** Switching power supplies, motor control, DC-DC converters, and high-efficiency power management.  
- **Features:**  
  - Low on-resistance for reduced conduction losses.  
  - Fast switching speed for high-frequency applications.  
  - Avalanche energy rated for ruggedness.  
  - Improved dv/dt capability for noise immunity.  
  - Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.