30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR3303 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
- The IRFR3303 is an N-channel HEXFET Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low gate charge and low on-resistance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other switching applications.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 110A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 440A  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5mΩ (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 100nC (typical)  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance due to low gate charge.  
- High current handling capability.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  
- Optimized for high-efficiency power conversion.  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRFR3303 Power MOSFET.