55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR2905Z is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 160A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2.0V (min) to 4.0V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 4000pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFR2905Z is an N-channel HEXFET® Power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- High current handling capability  
- Avalanche energy rated  
- Improved dv/dt capability  
- Lead-free and RoHS compliant  

The device is available in a TO-252 (DPAK) package.  

(Note: Always refer to the latest datasheet for updated specifications.)