75V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR2607Z is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 75V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 48A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 192A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 140W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 110nC (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFR2607Z is an N-channel HEXFET® power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching** capability for high-frequency applications.  
- **Avalanche rated** for ruggedness in harsh conditions.  
- **TO-220AB package** for easy mounting and heat dissipation.  
- **Pb-free and RoHS compliant.**  

This information is based on Infineon's datasheet for the IRFR2607Z.