150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR24N15DTRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies (IR)  

### **Part Number:**  
IRFR24N15DTRPBF  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 24A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 96A  
- **Power Dissipation (P_D):** 110W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  

### **Package:**  
- **Type:** DPAK (TO-252)  
- **Mounting:** Surface Mount  
- **Termination:** SMD/SMT  

### **Features:**  
- **Advanced HEXFET® Technology** for high efficiency  
- **Low On-Resistance** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved performance  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- High-efficiency power management  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official Infineon documentation.

150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The **IRFR24N15DTRPBF** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies (formerly International Rectifier, IR)**. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies (IR)  

### **Description:**  
The IRFR24N15DTRPBF is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is part of the HEXFET® Power MOSFET series, optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Key Features:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 24A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 96A  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.075Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W (at 25°C)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** DPAK (TO-252)  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- High-efficiency power management  

### **Additional Notes:**  
- **Technology:** HEXFET® MOSFET  
- **RoHS Compliant:** Yes  
- **Lead-Free:** Yes  

This information is based on the manufacturer's datasheet and product documentation.