600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR1N60A is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 50pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 8pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 3pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFR1N60A is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, fast-switching applications. It is optimized for efficiency and reliability in power conversion circuits, motor control, and other high-voltage switching applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low Gate Charge (Q_g)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low On-Resistance**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  
- **TO-252 (DPAK) Package**  

This information is sourced directly from the manufacturer's datasheet.