150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR13N15D is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are its key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 150V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 94W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.13Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 750pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 130pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 35pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The IRFR13N15D is an N-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. It is part of IR's HEXFET® Power MOSFET series, optimized for low on-resistance and fast switching performance.  

### **Features:**
- **Advanced Process Technology:** Provides low on-resistance and high current handling.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge:** Enhances efficiency in switching circuits.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in inductive load conditions.  
- **Fully Characterized Dynamic Performance:** Guarantees reliable operation.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design for space-constrained applications.  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-current switching applications.