100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR120NTRPBF is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 34A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 13nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 380pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFR120NTRPBF is a high-performance N-Channel MOSFET designed for switching applications. It offers low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-efficiency applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness under inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact surface-mount design for efficient PCB space utilization.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.