100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR120N is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 34A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 42W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.27Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 5.3A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 80pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 20ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 15ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFR120N is an N-Channel MOSFET designed for high-speed switching applications. It offers low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other switching circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for high-efficiency applications  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in inductive load switching  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IR documentation.