55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package The IRFR024N is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 55V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 45W  
- **R_DS(on) (Max) at V_GS = 10V:** 0.055Ω  
- **R_DS(on) (Max) at V_GS = 4V:** 0.085Ω  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 350pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRFR024N is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other power electronics applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- Fast switching performance  
- High current handling capability  
- Improved dv/dt capability  
- 100% avalanche tested  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.