(IRFR012) HEXFET Transistors The IRFR010 is a power MOSFET manufactured by Samsung. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.1Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 20ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 15ns (typ)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- The IRFR010 is a high-performance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power management circuits.  
- The device is housed in a TO-252 package, which provides efficient thermal performance.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **High Current Handling:** Supports up to 10A continuous drain current.  
- **Robust Gate Protection:** Withstands gate-source voltages up to ±20V.  
- **Thermally Enhanced Package:** TO-252 (DPAK) for improved heat dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the IRFR010.

(IRFR012) HEXFET Transistors

(IRFR012) HEXFET Transistors The IRFR010 is a power MOSFET manufactured by Samsung. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Samsung  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4.4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) @ V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1-2V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 30pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 10pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The IRFR010 is a low-power N-channel MOSFET designed for switching applications.  
- It is suitable for low-voltage, low-current circuits in power management and signal switching.  
- The device is housed in a TO-252 (DPAK) package for surface-mount applications.  

### **Features:**
- Low threshold voltage for compatibility with logic-level drive circuits.  
- Fast switching speed for efficient performance in switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- RoHS compliant.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

(IRFR012) HEXFET Transistors

(IRFR012) HEXFET Transistors The IRFR010 is a power MOSFET manufactured by SEC (Samsung Electronics Co., Ltd.). Below are the specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** SEC (Samsung Electronics Co., Ltd.)  
### **Part Number:** IRFR010  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4.4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 50pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 15pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 25ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)** surface-mount package  

### **Features:**  
- Low on-resistance  
- Fast switching speed  
- High ruggedness  
- Improved dv/dt capability  
- Suitable for low-power switching applications  

This information is based solely on the available knowledge base for the IRFR010 MOSFET from SEC.

(IRFR012) HEXFET Transistors

(IRFR012) HEXFET Transistors The IRFR010 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features based on the manufacturer's data:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Part Number:**  
IRFR010  

### **Type:**  
N-Channel Power MOSFET  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4.4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.0V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 50pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 15pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 25ns (typical)  

### **Package:**  
TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The IRFR010 is an N-channel MOSFET designed for low-power switching applications. It features a low threshold voltage and fast switching speeds, making it suitable for DC-DC converters, load switching, and other power management applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures efficient power handling.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in transient conditions.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IR documentation.

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