500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Super 247 (TO-274AA) package The IRFPS43N50K is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 43A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 172A  
- **Power Dissipation (P_D):** 580W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 210nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 6000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1000pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRFPS43N50K is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- It is part of IR's HEXFET® power MOSFET series, optimized for efficiency and reliability in power conversion circuits.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces spurious turn-on risks.  
- **TO-247 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet. No additional recommendations or interpretations are included.