100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Super 247 (TO-274AA) package The IRFPS3810 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Part Number:**  
- **IRFPS3810**  

### **Description:**  
- **N-Channel Power MOSFET**  
- Designed for high-power switching applications  

### **Key Features:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 100V  
- **Current Rating (I_D):** 75A (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 0.015Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W (at 25°C)  
- **Package:** TO-247AC (3-pin)  

### **Applications:**  
- High-efficiency power switching  
- Motor control  
- Power supplies  
- DC-DC converters  

This information is based on the manufacturer's datasheet for the IRFPS3810. For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to the official IR documentation.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Super 247 (TO-274AA) package

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Super 247 (TO-274AA) package The IRFPS3810 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
- **Part Number:** IRFPS3810  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 100V  
- **Current Rating (I_D):** 75A (at 25°C)  
- **R_DS(on) (Max):** 0.011Ω (at V_GS = 10V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W (at 25°C)  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions:**  
- The IRFPS3810 is a high-current, low-on-resistance N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- It is suitable for high-efficiency DC-DC converters, motor control, and power management systems.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- High current handling capability.  
- Fast switching performance.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  
- Improved gate charge for better efficiency in high-frequency applications.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Super 247 (TO-274AA) package