500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Super 247 (TO-274AA) package The IRFPS35N50L is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 35A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 140A  
- **Power Dissipation (P_D):** 300W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.12Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2100pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 70pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The IRFPS35N50L is an N-channel Power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and inverters.  
- The device is housed in a TO-247 package, providing efficient thermal dissipation.  

### **Features:**
- **Advanced HEXFET® Technology** for low conduction losses.  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load applications.  
- **Low Gate Charge** for reduced drive requirements.  
- **Fully Characterized for Dynamic Performance** to ensure reliable operation in high-frequency circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.