1000V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFPG50 is a Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 1000V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 5.2A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 20A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns  
- **Rise Time (t_r):** 60ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 100ns  
- **Fall Time (t_f):** 60ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions:**  
The IRFPG50 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features a fast switching speed and low gate charge, making it suitable for high-efficiency power supplies, inverters, and motor control circuits.  

### **Features:**  
- High voltage capability (1000V)  
- Low gate charge  
- Fast switching speed  
- High ruggedness and reliability  
- Low on-resistance  
- Avalanche energy specified  
- TO-247AC package for efficient thermal performance  

These are the factual details available about the IRFPG50 MOSFET from International Rectifier.