1000V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package The IRFPG40 is a power MOSFET manufactured by Harris (now part of Intersil, which was later acquired by Renesas Electronics). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Harris  
- **Part Number:** IRFPG40  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 900V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 30ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 60ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 100ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 60ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-247AC  

### **Descriptions and Features:**
- High-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications.  
- Suitable for high-voltage, high-speed switching in power supplies, inverters, and motor control circuits.  
- Low gate charge and fast switching characteristics.  
- Avalanche energy rated for ruggedness in inductive load applications.  
- TO-247AC package provides efficient thermal dissipation.  

This information is based on the original Harris datasheet for the IRFPG40. For detailed application notes or updated specifications, refer to the latest documentation from Renesas Electronics (successor to Intersil/Harris).